结型场效应管的管脚识别方法
结型场效应管的管脚识别方法

判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道

分类:产品知识 日期:2024-06-18 浏览:929 查看 »


场效应管特点
场效应管特点

具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点

分类:产品知识 日期:2024-06-11 浏览:846 查看 »


芯片是由什么物质组成的
芯片是由什么物质组成的

芯片主要由硅材料制成,其大小仅有手指甲的一半;一个芯片是由几百个微电路连接在一起的,体积很小,在芯片上布满了产生脉冲电流的微电路;它是微电子技术的主要产品。集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件

分类:产品知识 日期:2024-06-04 浏览:1666 查看 »


三极管的结构
三极管的结构

导体二极管内部只有一个PN结,若在半导体二极管P型半导体的旁边,再加上一块N型半导体这种结构的器件内部有两个PN结

分类:产品知识 日期:2024-06-03 浏览:527 查看 »


采用二极管进行混频器的设计
采用二极管进行混频器的设计

混频器(Frequency Mixer)是一种三端口器件,实现由两个频率产生新的频率的技术,又称为变频器(Frequency Conversion)。

分类:产品知识 日期:2024-05-31 浏览:947 查看 »


功率MOSFET的UIS雪崩损坏模式
功率MOSFET的UIS雪崩损坏模式

功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏

分类:产品知识 日期:2024-05-30 浏览:521 查看 »


主动元件与被动元件
主动元件与被动元件

主动元件指当获得能量供给时能够对电信号激发放大、振荡、控制电流或能量分配等主动功能,甚至执行数据运算、处理的元件

分类:产品知识 日期:2024-05-16 浏览:567 查看 »


隧穿场效应晶体管工作原理
隧穿场效应晶体管工作原理

隧穿场效应晶体管(TFET)的工作原理是带间隧穿,其S可以突破60mV/decade的限制,而且TFET的Ioff非常低,所以TFET的工作电压可以进一步地降低

分类:产品知识 日期:2024-05-08 浏览:749 查看 »


N沟道MOSFET是怎么样的
N沟道MOSFET是怎么样的

N沟道MOSFET具有位于源极和漏极端子之间的N沟道区域

分类:产品知识 日期:2024-04-30 浏览:532 查看 »


同种类的二极管如何替换
同种类的二极管如何替换

二极管,种类繁多,但你可知道,不同种类的二极管是可以相互替换的哦。今天,佑风微将为大家讲解不同种类二极管的替换技巧

分类:产品知识 日期:2024-04-22 浏览:1177 查看 »


共 9 页 90 条记录
QQ客服
客服微信
咨询电话
0769-82730331